摘要：對多量子阱紅外探測器制作中GaAs襯底減薄工藝程序進行了研究與討論。通過將器件壓焊封裝進杜瓦瓶中，測量其室溫和低溫條件下I-V特性，以及在低溫條件下的器件信噪比，并以傅里葉變換紅外光譜儀對器件進行光譜測量，得到光電流譜，從而比較了將器件襯底磨45°斜角的邊耦合情況，以及直接將襯底減薄至（29±2）μm兩種情況下器件的性能。并討論了減薄材料在垂直入射情況下仍能引起器件光吸收的主要原因。結果表明，由于GaAs材料的各向異性，濕法腐蝕會使器件臺面形成正梯形和倒梯形結構，其作用等同于器件磨至45°斜角，因此在垂直入射時器件也會有光電流產生。此外，在襯底進行減薄拋光后，襯底會有很小的起伏，這也可能引起光耦合，從而產生光電流。