首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 信息科技 > 無(wú)線電電子學(xué) > 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展 > 6.5 kV,5 A 4H-SiC功率DMOSFET器件 【正文】
6.5 kV,5 A 4H-SiC功率DMOSFET器件
楊立杰; 李士顏; 劉昊; 黃潤(rùn)華; 李赟; 柏松 南京電子器件研究所; 寬禁帶半導(dǎo)體電力電子國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 南京210016
- 阻斷電壓
- 比導(dǎo)通電阻
摘要：報(bào)道了在60μm厚、摻雜濃度1.3×10^15 cm^-3的外延層上制備4H-SiC功率DMOSFET器件的研究結(jié)果。器件擊穿電壓大于6.5 kV,導(dǎo)通電流大于5 A,相對(duì)于之前的報(bào)道結(jié)果,器件導(dǎo)通能力提升了25倍。器件采用由55根環(huán)組成的,450μm寬的浮空?qǐng)鱿蕲h(huán)作為器件終端結(jié)構(gòu)。通過(guò)1 250°C熱氧化工藝和NO退火技術(shù),完成器件柵介質(zhì)層制備。通過(guò)橫向MOSFET測(cè)試圖形,提取器件峰值有效溝道遷移率為23 cm^2/(V·s)。器件有源區(qū)面積為0.09 cm^2,在柵極電壓20 V、室溫下,器件比導(dǎo)通電阻為50 mΩ·cm^2。在漏極電壓6.5 kV時(shí),器件漏電流為6.0μA,對(duì)應(yīng)器件漏電流密度為30μA·cm^-2。基于此設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),提取了SiC DMOSFET器件中電阻比例組成。
- 阻斷電壓
- 比導(dǎo)通電阻
摘要：報(bào)道了在60μm厚、摻雜濃度1.3×10^15 cm^-3的外延層上制備4H-SiC功率DMOSFET器件的研究結(jié)果。器件擊穿電壓大于6.5 kV,導(dǎo)通電流大于5 A,相對(duì)于之前的報(bào)道結(jié)果,器件導(dǎo)通能力提升了25倍。器件采用由55根環(huán)組成的,450μm寬的浮空?qǐng)鱿蕲h(huán)作為器件終端結(jié)構(gòu)。通過(guò)1 250°C熱氧化工藝和NO退火技術(shù),完成器件柵介質(zhì)層制備。通過(guò)橫向MOSFET測(cè)試圖形,提取器件峰值有效溝道遷移率為23 cm^2/(V·s)。器件有源區(qū)面積為0.09 cm^2,在柵極電壓20 V、室溫下,器件比導(dǎo)通電阻為50 mΩ·cm^2。在漏極電壓6.5 kV時(shí),器件漏電流為6.0μA,對(duì)應(yīng)器件漏電流密度為30μA·cm^-2。基于此設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),提取了SiC DMOSFET器件中電阻比例組成。
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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
- 預(yù)計(jì)1-3個(gè)月 預(yù)計(jì)審稿周期
- 0.29 影響因子
- 電子 快捷分類(lèi)
- 雙月刊 出版周期
主管單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司;主辦單位：南京電子器件研究所
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