摘要：Ⅲ族氮化物在光電器件方面有著廣泛的應用。探究Ⅲ族氮化物的外延生長機制對于制備高質量薄膜材料器件具有重要意義。本文利用球差矯正透射電子顯微鏡,揭示了金屬有機化學氣相沉積方法(MOCVD)生長的氮化鋁(AlN)在藍寶石(Al2O3)襯底上的界面原子結構,探究了異質外延的生長機制。分析發現,Al2O3襯底在氨氣的氛圍下退火后,表面率先被氮化,生成一層AlN。在進一步生長AlN的時候,鋁(Al)原子優先填補Al2O3表面高位鋁的位置,然后按照AlN的晶格結構生長。此外,該方法生長的AlN在界面附近是非金屬(N)極性。這些發現加深了我們對氮化物薄膜的外延生長動力學的認識,為更好地控制界面的成核、極性提供了有用的信息。