摘要：氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的代表,具有優異的材料物理特性,更加適合于下一代電力電子系統對功率開關器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣工作溫度的要求。為了兼容Si基CMOS工藝流程,以及考慮到大尺寸、低成本等優勢,在Si襯底上進行GaN材料的異質外延及器件制備已經成為業界主要技術路線。詳細介紹了在6英寸Si襯底上外延生長的AlGaN/GaN HEMT結構功率電子材料,以及基于6英寸CMOS產線制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常關型Cascode GaN器件的相關成果。