摘要：在電流密度為0.01~0.05 A/cm^2的條件下進(jìn)行光亮錫鍍。研究了電流密度對(duì)陰極過(guò)電位、電流效率及鍍層厚度的影響,并用SEM和XRD對(duì)鍍層的表面形貌和晶粒的擇優(yōu)取向進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:隨著電流密度的增大,陰極過(guò)電位和鍍層厚度不斷增加,電流效率先增大后減小。在較低的電流密度下得到的鍍層表面較為均勻、致密;當(dāng)電流密度高于0.03 A/cm^2時(shí),鍍層表面出現(xiàn)較多孔隙,粗糙度增加。不同電流密度下,晶粒的擇優(yōu)取向不同。當(dāng)電流密度高于0.03 A/cm^2時(shí),晶粒的擇優(yōu)取向由(101)晶面和(211)晶面向(220)晶面轉(zhuǎn)變。