摘要：與傳統光源相比,基于GaN材料的發光二極管(LED)具有量子效率高、壽命長等優勢,在通用照明、顯示、醫療等領域中的應用份額穩步提升。然而受制于其材料特性與器件結構,GaN基LED在內量子效率與光提取效率方面仍有較大的提升空間。為解決以上關鍵問題,利用電子束曝光技術成功在GaN基LED表面的氧化銦錫(ITO)窗口層集成了光子晶體,并對光子晶體對于LED發光波長、電流-電壓特性、發光強度等關鍵參數的調控進行了表征測量,結果表明,器件的法向電致發光強度提升了25%,器件的工作電壓也有所降低。