摘要：傳統的功率放大器調制驅動器采用電荷泵式結構,使電路輸出的脈沖寬度受到限制,同時,外圍元器件連接也較為復雜。提出了一種新型調制驅動器架構解決以上問題。采用高側驅動p型MOSFET的應用架構,從而去除了電荷泵式結構;并引入分時電控結構,減少了外圍元件。基于0.5μm BCD工藝設計了一款半橋式調制驅動器芯片,測試結果表明,采用該技術的半橋驅動器芯片,在沒有外接電容的情況下,驅動能力可達400 mA,負載電容1 nF時,驅動信號上升沿和下降沿均小于100 ns,能夠滿足大多數小體積應用需求,具有極好的應用適應性。